キオクシアは2026年7月3日、AIデータセンターなどの需要爆発を見据えた「第10世代3次元（3D）フラッシュメモリ（BiCS FLASH）」のサンプル出荷開始と、岩手県「北上工場・第2製造棟（K2）」の稼働を正式に発表した。
足元ではDRAMの輸出単価下落などから「半導体バブル崩壊か」との懸念が市場で囁かれているが、同社はAIインフラに不可欠な大容量・高速ストレージ（SSD）の次世代技術を市場に投入し、攻勢を強める構えだ。
超高積層「332層」で記録密度が約6割向上
今回発表された第10世代メモリの最大のトピックは、メモリセルを垂直に積み上げる技術が332層に達した点にある。
前世代（第8世代の218層）に比べ、1つのチップに保存できる記録密度（ビット密度）は59%向上した。これにより、AIの学習や推論で発生する莫大なデータを、より省スペースなデータセンター用のSSDに格納することが可能になる。
「高速化」と「30%の省電力化」を両立
AIサーバーの運用において、データ処理の速度と消費電力の抑制は最優先課題だ。第10世代はこの双方で大きな進化を遂げている。
- 高速化： インタフェース速度は4.8 Gb/sに達し、前世代から33%向上。
- 省電力： データの書き込み電力を18%、読み出し電力を30%削減。データセンターの「熱対策」と「電気代抑制」に直接貢献する。
北上「K2棟」が始動、米WDと共同投資。2026年分はすでに完売か
キオクシアは同日、四日市工場（三重県）に続き、岩手県の北上工場・第2製造棟（K2）を報道陣に公開した。
同棟では、長年のパートナーである米ウエスタンデジタル（WD）との共同投資のもと、今回の第10世代メモリの生産を行う。同社は2026年から2028年にかけて年間約4,700億円（従来比60%増）という大規模な設備投資を計画しており、報道によると2026年分のNANDおよびSSDの生産能力はすでに顧客向けに「完売（ソールドアウト）」状態であるという。
編集部の視点：DRAMの価格急落とどう違う？
直近では韓国の貿易統計をきっかけに「DRAMの輸出単価急落＝半導体バブルの終わり」といった悲観論も一部で出ている。しかし、急落が指摘されているのは主に一時的なデータ処理を担う「DRAM（HBMなど）」の領域だ。
一方でキオクシアが手がけるのは、データを永続的に保存する「NANDフラッシュメモリ（SSDなど）」である。AIの進化に伴い、膨大なLLM（大規模言語モデル）のデータを蓄えるための超高速・大容量SSDの需要は世界中で爆発的に増え続けている。
市場全体の需給バランスによる一時的な株価や市況のブレはあるものの、キオクシアが今回発表した第10世代メモリは、2027年頃まで続くと予測されるAIデータセンター向けの旺盛な実需を確実に捉える強力な武器となりそうだ。
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